近日,IBM传出消息,其和美光公司(Micron)计划推出的3D内存芯片存取数据能达128Gbps,是目前内存的10倍。随着芯片制程工艺从65nm,45nm再到22nm,电路的密集度越来越高,势必会达到一个技术上的瓶颈,在电路密集度上达到一个极限,而3D芯片的设计概念的出现,给提高芯片性能开拓了另外一个途径。

IBM和美光公司表示,新型3D芯片的内存所需能源和空间较少,并且每秒能传输128G左右的数据,这一速度比目前的内存芯片快十倍左右。这种3D芯片的内存产品预计于2012年下半年出货。

3D芯片
3D芯片(点击放大)

  美光公司的3D芯片HMC与三星、英特尔都有合作,此次又传出与IBM的合作消息,可以预见3D芯片这一设计概念在未来有着巨大的发展潜力。

Hybrid Memory Cube 
Hybrid Memory Cube

  Hybrid Memory Cube(HMC),混合立方内存芯片,由美光公司提出,这种混合立体内存与CPU的数据传输速度将是现阶段内存技术的15倍,以便适应高速发展的处理器和宽带网络。

Hybrid Memory Cube(HMC)
Hybrid Memory Cube(HMC)

  HMC的基本理念是将芯片层层叠起,和传统上将一个系统中的半导体联系在一起的做法相比,新方法将用到更多且速度更快的数据通路。支持者认为,将芯片堆叠起来的做法除了节省空间,还能达到类似于立体电路块的效果。